SK Hynix inicia construcción de planta de empaquetado de chips en Indiana

La compañía surcoreana SK Hynix celebró el jueves la ceremonia de inicio de obras de su planta de empaquetado avanzado de chips en West Lafayette, Indiana, un proyecto que supera los 3.800 millones de dólares y que dará lugar a la primera memoria de alto ancho de banda (HBM) fabricada en Estados Unidos.

El acto se realizó en el campus de la Universidad de Purdue y llega más de dos años después del anuncio inicial de la inversión, realizado en abril de 2024. Según las autoridades locales y la empresa, la sala limpia de la instalación estará terminada en octubre de 2028 y la producción en masa comenzará en el tercer trimestre de 2029.

Una vez operativa, la fábrica tomará obleas de memoria DRAM y las convertirá en módulos HBM, utilizados en sistemas de inteligencia artificial y centros de datos. SK Hynix ha señalado que esta decisión busca responder a la creciente demanda de este tipo de memoria y acercar la producción a los clientes estadounidenses.

El proyecto forma parte de una tendencia más amplia de fabricantes asiáticos de semiconductores que invierten en territorio estadounidense, impulsados por incentivos federales y la necesidad de diversificar sus cadenas de suministro. Por el momento, la empresa no ha precisado cuántos empleos se crearán, aunque fuentes locales citadas por medios como The Korea Herald apuntan a varios cientos de puestos de trabajo directos.